Eris E220R 8英寸单片减压选择性表延系统
Eris E220R 8 Inch Single Wafer Reduced Pressure Selective Epitaxy System
Eris系列8英寸单片减压选择性表延系统合用于8英寸的单晶硅、多晶硅同质表延和成长锗硅、磷化硅、纯锗等异质表延的工艺。Prelean腔具备处置天然氧化层能力，通过多层匀流的精密结构设计，具备可控的的刻蚀量、优良的刻蚀均匀性和刻蚀选择比；EPI腔拥有先进的红表加热节造技术和优异的气流场设计，可实现温场和气流场的精确节造，从而获得优良的厚度均匀性、电阻率均匀性，高质量的表延层成长。
- 设备特点
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- 产品利用
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- 晶圆尺寸
- 合用资料
- 合用领域
