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半导体设备 Semiconductor
ACE E300Ge
高选择比刻蚀机
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公司名称:
ACE E300Ge 高选择比刻蚀机
ACE E300Ge High Selectivity Etcher
ACE E300Ge 刻蚀设备面向 3D 结构、深邃宽比先进存储造程,搭载立体高密度等离子源与超高效能离子过滤装置主题硬件配置。依附精准调控粒子能量散布的离子过滤主题技术,兼容多类薄膜资料刻蚀工艺,实现高选择比金属硬掩?淌从氪娲⒕г驳臀O毡肀泶χ,可缩减掩膜厚度、简化高低游造程,搭配OES Plus监测腔室不变性,保险批量工艺不变沉复。设备兼具宽泛的资料工艺适配能力与极致超高刻蚀选择比,作为先进存储工艺专用高端刻蚀设备,为该类高端刻蚀造程提供专属解决规划。
设备特点
建设立体高密度等离子源以及超高效能离子过滤技术,精准调控反映粒子能量散布。
更高刻蚀选择比,刻蚀资料宽泛。
极高的资料选择比可大幅减掩膜厚度,有效简化前后路造程工序。
建设OES Plus监测腔室不变性,确保批次运行的高沉复性。
产品利用
晶圆尺寸
12"
合用领域
集成电路
合用工艺
横向刻蚀,表表危险层处置,氮化钛刻蚀
合用资料
硅、氧化硅、氮化硅、氮化钛、钨、氧化铪
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