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半导体设备 Semiconductor
GDE C200系列
高密度化合物刻蚀机
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公司名称:
GDE C200系列 高密度化合物刻蚀机
GDE C200 Series Compound Semiconductor Etcher
GDE C200系列高密度刻蚀机重要用于6/8英寸化合物资料干法刻蚀。该设备选取超高密度等离子体源、独立控温上电极系统,配置高温下电极系统,能够兼容二/三/四代化合物半导体资料刻蚀。设备刻蚀速度高、均匀性好,颗=谠觳槐,在SiC-Power、GaAs-RF、GaN-RF、滤波器、Optic等领域利用宽泛。
设备特点
怪异的等离子体源和频率设计,等离子体密度高。
业界当先的刻蚀速度、刻蚀均匀性。
利用领域宽泛,使用二/三/四代化合物半导体资料刻蚀。
适配多种终点检测步骤,OES/IEP/LEP可选。
产品利用
晶圆尺寸
8"及以下
合用领域
集成电路、化合物半导体、新兴利用与科研领域设备
合用工艺
碳化硅通孔刻蚀、碳化硅栅槽刻蚀、钼-铝氮/铝钪氮刻蚀、砷化镓背孔工艺、光波导工艺等多种资料刻蚀工艺
合用资料
碳化硅、氮化硅、铝钪氮、钼、铝氮、锆钛酸铅、砷化镓、磷化铟、铌酸锂、氧化镓、金刚石
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